Abbildung ähnlich
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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC556BBK TO-92BK PNP
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92BK
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1000
-
0,02262 €
3000
9% = 0,00 €
0,02056 €
5000
12% = 0,00 €
0,01987 €
10000
15% = 0,00 €
0,01918 €
20000
17% = 0,00 €
0,01885 €
40000
20% = 0,00 €
0,01816 €
100000
23% = 0,01 €
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Highlights & Details
BJT, TO-92BK, 65V, 100mA, PNP
- PNP NF-Kleinleistungstransistor 65 V 0,1 A 0,5 W TO 92
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92BK
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 65 V
- DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
- Polarität - pol: PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.500 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 200
- VCE: 5 V
- IC: 100 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 250 mV
- IC: 100 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 150 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 100 MHz
- Typ
BC556BBK
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92BK
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
- VCE Sättigung (max.)
250 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.5 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
200
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809169 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC556BBK TO-92BK PNP
Beschreibung
Epitaxial-Silizium-Transistoren/NL