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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-92 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
100
-
0,03442 €
300
9% = 0,00 €
0,03129 €
500
12% = 0,00 €
0,03024 €
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Highlights & Details
BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
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Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 V
- DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100
- VCE: 10 V
- IC: 150 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 300 mV
- IC: 150 mA
- IB: 15 mA
- Transitfrequenz - ft: 250 MHz
- IC: 20 mA
- VCE: 20 V
- f: 100 MHz
- Typ
2N2222A
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
600 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
- VCE Sättigung (max.)
300 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.625 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
100
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2808991 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-92 NPN
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=2N2222A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=200, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=40 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=75 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=300 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=250 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Gurtware