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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT4401 SOT-23 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
Datenblatt (PDF)
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Anzahl
Min.: 100
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Highlights & Details
BJT, SOT-23, 40V, 600mA, NPN
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-23
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 V
- DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 300
- VCE: 1 V
- IC: 150 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 750 mV
- IC: 500 mA
- IB: 50 mA
- Transitfrequenz - ft: 250 MHz
- IC: 20 mA
- VCE: 10 V
- f: 100 MHz
- Typ
MMBT4401
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
600 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
- VCE Sättigung (max.)
750 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
300
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2810124 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT4401 SOT-23 NPN
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=MMBT4401, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.2 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=200, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=40 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=750 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=300 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle