Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8
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Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
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9
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0,44558 €
15
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0,43258 €
30
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0,41958 €
60
15% = 0,07 €
0,41308 €
120
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0,40008 €
300
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF7343PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
- I(d)
4.7 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8