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Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8

Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8-0
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

IRF7343PBF-GURT

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

SO-8

Hersteller

Infineon Technologies

Ausführung

N-Kanal

P-Kanal

I(d)

4.7 A

U

55 V

Leistung (max) P(TOT)

2.0 W

R(DS)(on)

0.17 Ω

Montageart

Oberflächenmontage

Kanäle

2

Inhalt

1 St.

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0 W SO-8

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