Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.0155 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
0,84854 €
9
8% = 0,07 €
0,78026 €
15
11% = 0,09 €
0,75750 €
30
13% = 0,11 €
0,73474 €
60
15% = 0,13 €
0,72335 €
120
17% = 0,15 €
0,70060 €
300
20% = 0,17 €
0,67783 €
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen 0,00 €
Anzahl
Min.: 3
Gesamt (0,84854 € / Stück)
2,55 €
zzgl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF8313PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
9.7 A
- U
30 V
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.0155 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8