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Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB

Ein dreibeiniger Halbleiterbauteil, meist ein Transistor oder Spannungsregler, in einem TO-220-Gehäuse mit Kühlfläche oben.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
190 W
R(DS)(on)
14 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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Highlights & Details

Transistor unipolar (MOSFET)

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Technische Daten

Typ

IRFB4610PBF

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

Infineon Technologies

Herst.-Abk.

INF

Ausführung

N-Kanal

I(d)

73 A

U

100 V

Leistung (max) P(TOT)

190 W

R(DS)(on)

14 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

44 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

100 µA

Q(G)

140 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

3550 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

50 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Durchführungsloch

Serie

HEXFET®

Betriebstemperatur (max.)

+175 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

100 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB

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