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Infineon Technologies IRFB7730PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

Ein Gleichrichter-Diodenbauteil mit drei Anschlüssen und der aufgedruckten Bezeichnung 'FB4103' auf einem Metallgehäuse.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
0.0026 Ω
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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Highlights & Details

INFI Leistungs-MOSFETs IRF_, IRL_ TO220A

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

IRFB7730PBF

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

Infineon Technologies

Ausführung

N-Kanal

I(d)

195 A

U

75 V

Leistung (max) P(TOT)

375 W

R(DS)(on)

0.0026 Ω

Montageart

Durchführungsloch

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 3026372 Infineon Technologies IRFB7730PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026372 Infineon Technologies IRFB7730PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

Beschreibung

Drain-Source Spannung: 75V
Drainstrom: 246A
Gehäuse: TO220AB
Kanal-Art: stark
Montage: THT

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Zubehör

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)

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(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)