Name: ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) MMBTH81 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1264866
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Produkt-Art

HF-Transistor (BJT)

Gehäuse

TO-236-3

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

50 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

20 V

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Transistor

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Technische Daten

Typ: MMBTH81

Produkt-Art: HF-Transistor (BJT)

Gehäuse: TO-236-3

Hersteller: ON Semiconductor

Herst.-Abk.: OnS

Kanäle: 1

Ausführung: PNP

Collector-Strom I(C): 50 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 20 V

VCE Sättigung (max.): 500 mV

Leistung (max) P(TOT): 225 mW

DC Stromverstärkung (hFE): 60

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V

Transitfrequenz f(T): 600 MHz

Montageart: Oberflächenmontage

Inhalt: 1 St.

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Collector-Strom I(C)

Gehäuse

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

Leistung (max) P(TOT)

Montageart

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PNP

50 mA

TO-236-3

20 V

225 mW

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HF-Transistor (BJT)

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