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Conrad

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92-3
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-200 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-40 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

2N3906BU

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Kanäle

1

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

-200 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

-40 V

VCE Sättigung (max.)

-400 mV

Leistung (max) P(TOT)

625 mW

DC Stromverstärkung (hFE)

100

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

-10 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

-1 V

Transitfrequenz f(T)

250 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 163376 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 163376 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Wird oft zusammen gekauft

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Gesamtpreis:

13,34 €12,14 €*

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