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Conrad

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13816STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-126-3
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-1.5 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-60 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

BD13816STU

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-126-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Kanäle

1

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

-1.5 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

-60 V

VCE Sättigung (max.)

-500 mV

Kollektor Reststrom I(CES)

-100 nA

Leistung (max) P(TOT)

1.25 W

DC Stromverstärkung (hFE)

100

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

-150 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

-2 V

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 151127 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13816STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151127 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13816STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Beschreibung

Hinweise

Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Zubehör

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