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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BDX34CG TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
PNP - Darlington
Collector-Strom I(C)
-10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-100 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details
Darlington Leistungstransistor
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Technische Daten
- Typ
BDX34CG
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP - Darlington
- Collector-Strom I(C)
-10 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-100 V
- VCE Sättigung (max.)
-2.5 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
-500 µA
- Leistung (max) P(TOT)
70 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
750
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-3 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-3 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 151150 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BDX34CG TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151150 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BDX34CG TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington
Beschreibung
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage.
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Zubehör
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