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Conrad

STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD139-10 SOT-32 Anzahl Kanäle 1 NPN

EAN:
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Bestell-Nr.:
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-32
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1.5 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

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Technische Daten

Typ

BD139-10

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-32

Hersteller

STMicroelectronics

Herst.-Abk.

STM

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1.5 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

80 V

VCE Sättigung (max.)

500 mV

Kollektor Reststrom I(CES)

100 nA

Leistung (max) P(TOT)

1.25 W

DC Stromverstärkung (hFE)

40

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

150 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

2 V

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 151089 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD139-10 SOT-32 Anzahl Kanäle 1 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151089 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD139-10 SOT-32 Anzahl Kanäle 1 NPN

Beschreibung

Hinweise

Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

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Gesamtpreis:

11,84 €*

Zubehör

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