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Conrad

Taiwan Semiconductor Diode 1N5408G DO-201AD 3 mA Tape

Verpackungsart
Tape
Produkt-Art
Diode
Gehäuse
DO-201AD
Durchlassstrom I(F)
3 mA
Durchlassspannung U(F)
1 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Sofort-Lieferung Mi., 28. Okt.
65 Stück

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Anzahl
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Highlights & Details

Si-Gleichr 1000V 3A DO201AD

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Technische Daten

Verpackungsart

Tape

Typ

1N5408G

Produkt-Art

Diode

Gehäuse

DO-201AD

Hersteller

Taiwan Semiconductor

Durchlassstrom I(F)

3 mA

Durchlassspannung U(F)

1 V

Sperrstrom I(r)

5.000 nA

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

Montageart

Durchsteckmontage

Serie

1N5408

RoHS-konform

Ja

AEC-Compliance

AEC-Q101

Konfiguration (Diode)

Single

U(RRM)

1.000 V

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2992975 Taiwan Semiconductor Diode 1N5408G DO-201AD 3 mA Tape

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2992975 Taiwan Semiconductor Diode 1N5408G DO-201AD 3 mA Tape

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Zubehör

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)

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