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Ein Zylinder mit zwei herausragenden Drähten auf beiden Seiten, ähnlich einer elektronischen Diode. Der Zylinder trägt die Markierung '1N'.

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Taiwan Semiconductor

Verpackungsart

Tape

Produkt-Art

Diode

Durchlassstrom I(F)

200 mA

Sperrspannung U(R)

150 V

Durchlassspannung U(F)

1.25 V

Datenblatt (PDF)

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Highlights & Details

Si-Diode 200V 200mA DO35

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Technische Daten

Verpackungsart: Tape

Typ: BAV20 R0G

Produkt-Art: Diode

Hersteller: Taiwan Semiconductor

Durchlassstrom I(F): 200 mA

Sperrspannung U(R): 150 V

Durchlassspannung U(F): 1.25 V

Sperrstrom I(r): 100 nA

Betriebstemperatur (min.): -55 °C

Betriebstemperatur (max.): 175 °C

Montageart: Durchsteckmontage

Sperrverzugszeit T(rr): 50 ns

Serie: BAV_

RoHS-konform: Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 3016818 Taiwan Semiconductor Diode BAV20 R0G 150 V 200 mA Tape

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3016818 Taiwan Semiconductor Diode BAV20 R0G 150 V 200 mA Tape

Häufig gesuchte Dioden (Standard/HF/Leistung):

Gleichrichterdioden

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ESD-Abschirmbeutel mit Druckverschluss (L x B) 300 mm x 200 mm N/A Materialstärke (Details) 80 µm

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