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Conrad

Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-18 Anzahl Kanäle 1 NPN

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-18
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

Transistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

2N2222A

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-18

Hersteller

Central Semiconductor corp.

Herst.-Abk.

CSC

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

800 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

40 V

VCE Sättigung (max.)

1 V

Kollektor Reststrom I(CES)

10 nA

Leistung (max) P(TOT)

500 mW

DC Stromverstärkung (hFE)

100

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

150 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

10 V

Transitfrequenz f(T)

300 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 1359807 Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-18 Anzahl Kanäle 1 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1359807 Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-18 Anzahl Kanäle 1 NPN

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Gesamtpreis:

6,24 €*

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