Name: ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret PN2222ATF TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1265002
Availability: InStock

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'Ein dreibeiniger Transistor in schwarzem Gehäuse. Die drei Metallanschlüsse sind in einer Linie angeordnet.'

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Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92-3

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

40 V

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Transistor

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Technische Daten

Typ: PN2222ATF

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: TO-92-3

Hersteller: ON Semiconductor

Herst.-Abk.: OnS

Kanäle: 1

Ausführung: NPN

Collector-Strom I(C): 1 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V

VCE Sättigung (max.): 1 V

Kollektor Reststrom I(CES): 10 nA

Leistung (max) P(TOT): 625 mW

DC Stromverstärkung (hFE): 100

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V

Transitfrequenz f(T): 300 MHz

Montageart: Durchführungsloch

Inhalt: 1 St.

Varianten(Alle Angaben sind inkl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Ausführung

Collector-Strom I(C)

Gehäuse

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

Leistung (max) P(TOT)

Montageart

Produkt-Art

ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) MMBTH81 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Bestell-Nr.:1264866

Lieferung Do., 29. Okt.

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PNP

50 mA

TO-236-3

20 V

225 mW

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HF-Transistor (BJT)

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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Bestell-Nr.:1262866

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-200 mA

TO-92-3

-40 V

625 mW

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Bestell-Nr.:1262902

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17 A

TO-264

250 V

150 W

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Bestell-Nr.:1262949

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NPN

800 mA

TO-92-3

45 V

625 mW

Durchführungsloch

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Min.: 20

Vielfache: 1

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Bestell-Nr.:1262951

Lieferung Do., 29. Okt.

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PNP - Darlington

-1 A

TO-92-3

-30 V

625 mW

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Min.: 10

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Bestell-Nr.:1262953

Lieferung Do., 29. Okt.

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100 mA

TO-92-3

65 V

500 mW

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Vielfache: 1

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Lieferung Do., 29. Okt.

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NPN

100 mA

TO-92-3

65 V

500 mW

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Bestell-Nr.:1262957

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100 mA

TO-92-3

45 V

500 mW

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TO-92-3

45 V

500 mW

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