Abbildung ähnlich
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA44 TO-92 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
300 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
400 V
Datenblatt (PDF)
1745 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Anzahl
Min.: 100
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0,06 €
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Highlights & Details
BJT, TO-92, 400V, 300mA, NPN
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Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 400 V
- DC Kollektorstrom - IC: 300 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 200
- VCE: 10 V
- IC: 10 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 750 mV
- IC: 50 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: MHz
- IC: mA
- VCE: V
- f: MHz
- Typ
MPSA44
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
300 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
400 V
- VCE Sättigung (max.)
750 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.625 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
200
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2810281 Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA44 TO-92 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2810281 Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA44 TO-92 NPN
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=MPSA44, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=750 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=200, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=500 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=400 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=750 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=300 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=50 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Gurtware