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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC672S SOT-363 NPN

Zwei schwarze Halbleiter-ICs mit der Aufschrift 'SOT-363', einem Standardgehäuse, und sechs Pins, die auf einem weißen Hintergrund abgebildet sind.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-363
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
50 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
18 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Lieferung Mo., 18. Jan. 2027
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Highlights & Details

BJT, SOT-363, 18V, 50mA, NPN

Unser Service für Sie

Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: SOT-363
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 18 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 50 mA
  • Polarität - pol: NPN
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 0.150 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 150
  • VCE: 10 V
  • IC: 10 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
  • IC: 20 mA
  • IB: 4 mA
  • Transitfrequenz - ft: 600 MHz
  • IC: 10 mA
  • VCE: 10 V
  • f: 200 MHz
Typ

BC672S

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-363

Hersteller

Diotec

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

50 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

18 V

VCE Sättigung (max.)

500 mV

Leistung (max) P(TOT)

0.15 W

DC Stromverstärkung (hFE)

150

Transitfrequenz f(T)

200 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809179 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC672S SOT-363 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809179 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC672S SOT-363 NPN

Zubehör

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)

Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden

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