Abbildung ähnlich
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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
150
-
0,02082 €
450
9% = 0,00 €
0,01892 €
750
12% = 0,00 €
0,01829 €
1500
15% = 0,00 €
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Highlights & Details
BJT, SOT-23, 45V, 100mA, NPN
- Aktive Bauelemente|Transistoren (bipolar)|SMD NF-Kleinleistungstransistoren SOT23, volle VEs
Unser Service für Sie
Eco contribution recycling symbols
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-23
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
- DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 290
- VCE: 5 V
- IC: 2 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 600 mV
- IC: 100 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 300 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 100 MHz
- Typ
BC847B
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
- VCE Sättigung (max.)
600 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
290
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809225 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23 NPN
Beschreibung
Silizium-Transistoren/NL/NLDie Lieferung erfolgt ausschließlich in vollen Verpackungseinheiten!/NL
Lieferumfang
- 1 Stück