Abbildung ähnlich
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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC549B TO-92 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
100
-
0,02776 €
300
9% = 0,00 €
0,02523 €
500
12% = 0,00 €
0,02439 €
1000
15% = 0,00 €
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Min.: 100
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Highlights & Details
BJT, TO-92, 30V, 100mA, NPN
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 30 V
- DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.500 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 200
- VCE: 5 V
- IC: 100 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 600 mV
- IC: 100 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 300 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 100 MHz
- Typ
BC549B
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
- VCE Sättigung (max.)
600 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.5 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
200
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809164 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC549B TO-92 NPN