Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.16 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
1,01045 €
9
8% = 0,08 €
0,92913 €
15
11% = 0,11 €
0,90203 €
30
13% = 0,14 €
0,87493 €
60
15% = 0,15 €
0,86138 €
120
17% = 0,18 €
0,83428 €
300
20% = 0,20 €
0,80717 €
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen 0,00 €
Anzahl
Min.: 3
Gesamt (1,01045 € / Stück)
3,03 €
zzgl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF7306PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
P-Kanal
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.16 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026238 Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8