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ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
350 mW
R(DS)(on)
5 Ω
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
30
-
0,05357 €
90
9% = 0,00 €
0,04869 €
150
12% = 0,01 €
0,04707 €
300
15% = 0,01 €
0,04544 €
600
17% = 0,01 €
0,04463 €
1200
20% = 0,01 €
0,04300 €
3000
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
2N7002
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
200 mA
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
350 mW
- R(DS)(on)
5 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
500 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- C(ISS)
50 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
STripFET™
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1262896 ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3