Infineon Technologies IRF7313PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.046 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
0,60165 €
9
8% = 0,05 €
0,55324 €
15
11% = 0,06 €
0,53709 €
30
13% = 0,08 €
0,52096 €
60
15% = 0,09 €
0,51289 €
120
17% = 0,10 €
0,49675 €
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Min.: 3
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF7313PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.046 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026240 Infineon Technologies IRF7313PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8