Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 79 W D2PAK
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
D2PAK
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
79 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,50 €
10
7% = 0,11 €
1,39 €
25
11% = 0,16 €
1,34 €
50
13% = 0,20 €
1,30 €
100
14% = 0,21 €
1,29 €
250
17% = 0,26 €
1,24 €
500
20% = 0,30 €
1,20 €
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF9530NSPBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
D2PAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-14 A
- U
-100 V
- Leistung (max) P(TOT)
79 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 79 W D2PAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 79 W D2PAK