Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-252AA
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.065 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
1,00657 €
9
8% = 0,08 €
0,92557 €
15
11% = 0,11 €
0,89857 €
30
13% = 0,14 €
0,87157 €
60
15% = 0,15 €
0,85808 €
120
17% = 0,18 €
0,83108 €
300
20% = 0,20 €
0,80408 €
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFR
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Technische Daten
- Typ
IRFR5305PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-252AA
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-31 A
- U
-55 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.065 Ω
- Montageart
Durchführungsloch
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026278 Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-252AA
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026278 Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-252AA