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Conrad

Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

NF-Transistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

BC847B

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23-3

Hersteller

Infineon Technologies

Herst.-Abk.

INF

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

100 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

45 V

VCE Sättigung (max.)

600 mV

Kollektor Reststrom I(CES)

15 nA

Leistung (max) P(TOT)

330 mW

DC Stromverstärkung (hFE)

200

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

2 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

5 V

Transitfrequenz f(T)

250 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 153157 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 153157 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Beschreibung

NPN-Transistor (8 mm-Gurt)

Wird oft zusammen gekauft

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)
Gesamtpreis:

8,33 €*

Zubehör

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(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)