IRF5305PBF TO220 P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET THT Infineon
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
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Highlights & Details
- P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 50 Stück
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Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: -55 VGate-Source-Spannung: +/- 20 VDrain-Strom: -31 ADrain-Strom (pulsierend): -110 AAvalanche-Strom (sich wiederholend): -16 AVerlustleistung @ Tc = 25°C: 110 WDrain-Source-Durchlasswiderstand: 0,06 OhmBetriebstemperatur: -55 - 175°C
- Verpackungsart
Tube
- Typ
IRF5305PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-31 A
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.06 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
-31 A
- U(GS)(th) max.
20 V
- C(ISS)
1200 pF
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchsteckmontage
- Betriebstemperatur (max.)
175 °C
- U(DSS)
-55 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
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Datenblatt
Datenblatt 846987048 IRF5305PBF TO220 P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET THT Infineon
Beschreibung
Drain-Source-Spannung: -55 V
Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
Drain-Strom: -31 A
Drain-Strom (pulsierend): -110 A
Avalanche-Strom (sich wiederholend): -16 A
Verlustleistung @ Tc = 25°C: 110 W
Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,06 Ohm
Betriebstemperatur: -55 - 175°C