ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE350 TO-225AA Anzahl Kanäle 1 PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-225AA
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-300 V
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
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Technische Daten
- Typ
MJE350
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-225AA
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-500 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-300 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
-100 µA
- Leistung (max) P(TOT)
20 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
30
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-50 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-10 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 151027 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE350 TO-225AA Anzahl Kanäle 1 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151027 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE350 TO-225AA Anzahl Kanäle 1 PNP