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Conrad

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
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Highlights & Details

Transistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

MMBT2222A

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

40 V

VCE Sättigung (max.)

1 V

Kollektor Reststrom I(CES)

10 nA

Leistung (max) P(TOT)

350 mW

DC Stromverstärkung (hFE)

100

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

150 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

10 V

Transitfrequenz f(T)

300 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1264816 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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Gesamtpreis:

3,06 €3,02 €*

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