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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret 400V TO220AB Transistor: NPN 80W 8A bipolar TO-220 NPN

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Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
8 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
400 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

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Technische Daten

Typ

400V TO220AB Transistor: NPN 80W 8A bipolar

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220

Hersteller

STMicroelectronics

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

8 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

400 V

Kollektor Reststrom I(CES)

10 µA

Leistung (max) P(TOT)

80 W

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 3028220 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret 400V TO220AB Transistor: NPN 80W 8A bipolar TO-220 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3028220 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret 400V TO220AB Transistor: NPN 80W 8A bipolar TO-220 NPN

Beschreibung

Gehäuse: TO220AB
Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Kollektor-Emitter-Strom: 8A
Montage: THT
Polarisierung: bipolar

Zubehör

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