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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

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Technische Daten

Typ

BD809

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

ON Semiconductor

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

10 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

80 V

VCE Sättigung (max.)

1.1 V

Kollektor Reststrom I(CES)

1 mA

Leistung (max) P(TOT)

90 W

DC Stromverstärkung (hFE)

15

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

4 A

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

2 V

Transitfrequenz f(T)

1.5 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

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Gesamtpreis:

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