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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Ein Metallgehäuse mit zwei Befestigungslöchern, wahrscheinlich für einen elektronischen Bauteil wie einen Transistor oder Regler.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
30 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
90 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

MJ802

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

30 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

90 V

VCE Sättigung (max.)

800 mV

Kollektor Reststrom I(CES)

1 mA

Leistung (max) P(TOT)

200 W

DC Stromverstärkung (hFE)

25

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

7.5 A

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

2 V

Transitfrequenz f(T)

2 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 151142 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151142 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Wird oft zusammen gekauft

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Gesamtpreis:

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