Taiwan Semiconductor Diode 1N4448 A0G 75 V 150 mA Tape
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape
Produkt-Art
Diode
Durchlassstrom I(F)
150 mA
Sperrspannung U(R)
75 V
Durchlassspannung U(F)
1 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details
Si-Diode 100V 150mA DO35
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape
- Typ
1N4448 A0G
- Produkt-Art
Diode
- Hersteller
Taiwan Semiconductor
- Durchlassstrom I(F)
150 mA
- Sperrspannung U(R)
75 V
- Durchlassspannung U(F)
1 V
- Sperrstrom I(r)
5 nA
- Betriebstemperatur (min.)
-65 °C
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- Montageart
Durchsteckmontage
- Sperrverzugszeit T(rr)
4 ns
- Serie
1N_
- RoHS-konform
Ja
- Konfiguration (Diode)
Einzeln
- U(RRM)
100 V
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2993279 Taiwan Semiconductor Diode 1N4448 A0G 75 V 150 mA Tape