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Diotec 2N7000 MOSFET 0.35 W TO-92
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-92
Leistung (max) P(TOT)
0.35 W
Montageart
Durchsteckmontage
U(DSS)
60 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
100
-
0,07439 €
300
9% = 0,01 €
0,06761 €
500
12% = 0,01 €
0,06535 €
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Highlights & Details
MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150°C, N
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Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92
- Drain-Source-Spannung - VDS: 60 V
- Drainstrom - ID: 0.200 A
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Polarität - pol: N
- Verlustleistung - Ptot: 0.350 W
- Drain-Spitzenstrom - IDM: 0.500 A
- Schwellspannung - VGSth: 0.8 V
- Einschaltwiderstand - RDSon: 5.0000 Ω
- ID: 0.0416666666666667
- VGS: 10 V
- Einschaltzeit - ton: 10 ns
- Ausschaltzeit - toff: 10 ns
- Typ
2N7000
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
Diotec
- I(d)
0.2 A
- Leistung (max) P(TOT)
0.35 W
- Montageart
Durchsteckmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
60 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2808999 Diotec 2N7000 MOSFET 0.35 W TO-92
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2808999 Diotec 2N7000 MOSFET 0.35 W TO-92
Beschreibung
MOSFET, Typ=2N7000, Ausschaltverzögerung=10 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=60 V, Einschaltverzögerung=10 ns, Gate-Source-Spannung=40 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=200 mA, Leistungsverteilung (PV)=350 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=6 Ω, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Gurtware