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Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,50 €
10
7% = 0,11 €
1,39 €
25
11% = 0,16 €
1,34 €
50
13% = 0,20 €
1,30 €
100
14% = 0,21 €
1,29 €
250
17% = 0,26 €
1,24 €
500
20% = 0,30 €
1,20 €
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1,50 €
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF5305PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
31 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
16 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
55 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- Typ
IRF5305PBF
- Gehäuse
TO-220AB
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220AB