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Diotec DI100N04D1-AQ MOSFET FET 69 W TO-252AA

Halbleiterbauteil mit der Aufschrift 'D-PAK' und 'J'; zeigt Vorder- und Rückseite mit Anschlusskontakten.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
FET
Leistung (max) P(TOT)
69 W
R(DS)(on) Referenz-Strom
30 A
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Lieferung Do., 18. Feb. 2027
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Anzahl
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Gesamt (1,17049 € / Stück)
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Highlights & Details

MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150°C, N

Unser Service für Sie

Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: TO-252AA/D-PAK
  • Drain-Source-Spannung - VDS: 40 V
  • Drainstrom - ID: 100.000 A
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Polarität - pol: N
  • Verlustleistung - Ptot: 69.000 W
  • Drain-Spitzenstrom - IDM: 450.000 A
  • Schwellspannung - VGSth: 2.5 V
  • Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0040 Ω
  • ID: 30 A
  • VGS: 10 V
  • Einschaltzeit - ton: 103 ns
  • Ausschaltzeit - toff: 46 ns
Typ

DI100N04D1-AQ

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-252AA

Hersteller

Diotec

Herst.-Abk.

DIO

Ausführung

FET

I(d)

100 A

U

40 V

Leistung (max) P(TOT)

69 W

R(DS)(on) Referenz-Strom

30 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

2.5 V

Montageart

Oberflächenmontage

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

U(DSS)

40 V

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809604 Diotec DI100N04D1-AQ MOSFET FET 69 W TO-252AA

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809604 Diotec DI100N04D1-AQ MOSFET FET 69 W TO-252AA

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(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)
Gesamtpreis:

2.934,22 €*

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