Abbildung ähnlich
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA06 TO-92 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
100
-
0,05024 €
300
9% = 0,00 €
0,04566 €
500
12% = 0,01 €
0,04413 €
1000
15% = 0,01 €
0,04261 €
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Highlights & Details
BJT, TO-92, 80V, 500mA, NPN
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 80 V
- DC Kollektorstrom - IC: 500 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100
- VCE: 1 V
- IC: 10 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 250 mV
- IC: 100 mA
- IB: 10 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 2 V
- f: 100 MHz
- Typ
MPSA06
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
500 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
- VCE Sättigung (max.)
250 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.625 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
100
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2810278 Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA06 TO-92 NPN