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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP120 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
5 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
5
-
0,68 €
15
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0,62 €
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10% = 0,07 €
0,61 €
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Anzahl
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€
Technische Daten
- Typ
TIP120
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
5 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
4 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
500 µA
- Leistung (max) P(TOT)
2 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
1000
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
3 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
3 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 150872 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP120 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 150872 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP120 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Beschreibung
Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.