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Diotec Transistor (BJT) - diskret BCX56-16 SOT-89 NPN

Halbleiterbauelement im SOT-89-Gehäuse, zeigt ein Kunststoffgehäuse mit drei Metallstiften für elektronische Anwendungen.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-89
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1000 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN

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Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: SOT-89
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 80 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 1000 mA
  • Polarität - pol: NPN
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 0.500 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 250
  • VCE: 2 V
  • IC: 150 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
  • IC: 500 mA
  • IB: 50 mA
  • Transitfrequenz - ft: 130 MHz
  • IC: 10 mA
  • VCE: 5 V
  • f: 100 MHz
Typ

BCX56-16

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-89

Hersteller

Diotec

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1000 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

80 V

VCE Sättigung (max.)

500 mV

Leistung (max) P(TOT)

0.5 W

DC Stromverstärkung (hFE)

250

Transitfrequenz f(T)

100 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809325 Diotec Transistor (BJT) - diskret BCX56-16 SOT-89 NPN

Zubehör

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