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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington

EAN:
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Bestell-Nr.:
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
8 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

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Technische Daten

Typ

BDX53C

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

STMicroelectronics

Herst.-Abk.

STM

Kanäle

1

Ausführung

NPN - Darlington

Collector-Strom I(C)

8 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

100 V

VCE Sättigung (max.)

2 V

Kollektor Reststrom I(CES)

500 µA

Leistung (max) P(TOT)

60 W

DC Stromverstärkung (hFE)

750

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

3 A

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

3 V

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 168106 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 168106 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington

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Gesamtpreis:

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