Infineon Technologies IRF3205SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
D2PAK
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.008 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,08 €
10
7% = 0,08 €
1,00 €
25
10% = 0,11 €
0,97 €
50
13% = 0,14 €
0,94 €
100
15% = 0,16 €
0,92 €
250
17% = 0,18 €
0,90 €
500
19% = 0,21 €
0,87 €
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF3205SPBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
D2PAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
110 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.008 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026223 Infineon Technologies IRF3205SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026223 Infineon Technologies IRF3205SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK