Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,08 €
10
7% = 0,08 €
1,00 €
25
10% = 0,11 €
0,97 €
50
13% = 0,14 €
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF7342PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
P-Kanal
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026246 Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026246 Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8