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Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
3.7 mΩ
Datenblatt (PDF)
Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt.
81 Stück
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Highlights & Details

MOSFET (HEXFET/FETKY)

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Technische Daten

Typ

IRF1404ZPBF

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

Infineon Technologies

Herst.-Abk.

INF

Ausführung

N-Kanal

I(d)

75 A

U

40 V

Leistung (max) P(TOT)

200 W

R(DS)(on)

3.7 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

75 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

150 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

4340 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

25 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Durchführungsloch

Serie

HEXFET®

Betriebstemperatur (max.)

+175 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

40 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 164331 Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 164331 Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

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Gesamtpreis:

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