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Conrad

ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3

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Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
6 Ω
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Highlights & Details

MOSFET

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Technische Daten

Typ

BSS123

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

SOT-23-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Ausführung

N-Kanal

I(d)

170 mA

U

100 V

Leistung (max) P(TOT)

360 mW

R(DS)(on)

6 Ω

R(DS)(on) Referenz-Strom

170 mA

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

2 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

1 mA

Q(G)

2.5 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

73 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

25 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Oberflächenmontage

Betriebstemperatur (max.)

+150 °C

Transistor-Merkmal

Logic Level Gate

U(DSS)

100 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263073 ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3

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