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ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
6 Ω
12152 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
30
-
0,14128 €
90
9% = 0,01 €
0,12841 €
150
12% = 0,02 €
0,12413 €
300
15% = 0,02 €
0,11983 €
600
17% = 0,02 €
0,11769 €
1200
20% = 0,03 €
0,11340 €
3000
23% = 0,03 €
0,10911 €
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BSS123
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
170 mA
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
6 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
170 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
- Q(G)
2.5 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
73 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263073 ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3