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Conrad

STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE2955T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-60 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

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Technische Daten

Typ

MJE2955T

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

STMicroelectronics

Herst.-Abk.

STM

Kanäle

1

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

-10 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

-60 V

VCE Sättigung (max.)

-8 V

Kollektor Reststrom I(CES)

-700 µA

Leistung (max) P(TOT)

75 W

DC Stromverstärkung (hFE)

20

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

-4 A

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

-4 V

Transitfrequenz f(T)

2 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 150918 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE2955T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 150918 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE2955T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

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Gesamtpreis:

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