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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-80 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

BD810G

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Kanäle

1

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

-10 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

-80 V

VCE Sättigung (max.)

-1.1 V

Kollektor Reststrom I(CES)

-1 mA

Leistung (max) P(TOT)

90 W

DC Stromverstärkung (hFE)

15

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

-4 A

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

-2 V

Transitfrequenz f(T)

1.5 MHz

Montageart

Durchführungsloch

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

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Gesamtpreis:

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