Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
48 W
R(DS)(on)
200 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
0,71 €
9
7% = 0,05 €
0,66 €
15
10% = 0,07 €
0,64 €
30
13% = 0,09 €
0,62 €
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen 0,00 €
Anzahl
Min.: 3
Gesamt (0,71 € / Stück)
€
Technische Daten
- Typ
IRF520NPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
9.7 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
48 W
- R(DS)(on)
200 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
5.7 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
25 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
330 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162404 Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162404 Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220
Beschreibung
Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.