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Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
5
-
0,84570 €
15
8% = 0,07 €
0,77765 €
25
11% = 0,09 €
0,75496 €
50
13% = 0,11 €
0,73228 €
100
15% = 0,12 €
0,72093 €
200
17% = 0,15 €
0,69825 €
500
20% = 0,17 €
0,67556 €
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Min.: 5
Gesamt (0,8457 € / Stück)
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF7103PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8