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Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 P-Kanal 1.4 W SOIC-8
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1.4 W
R(DS)(on)
120 mΩ
Datenblatt (PDF)
2464 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
1,92 €
10
7% = 0,14 €
1,78 €
25
10% = 0,19 €
1,73 €
50
13% = 0,24 €
1,68 €
100
14% = 0,26 €
1,66 €
250
16% = 0,31 €
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
SI4948BEY-T1-E3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Vishay
- Herst.-Abk.
VIS
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
2.4 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
1.4 W
- R(DS)(on)
120 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
3.1 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
22 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
TrenchFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 P-Kanal 1.4 W SOIC-8
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 P-Kanal 1.4 W SOIC-8