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Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 P-Kanal 45 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
45 W
R(DS)(on)
175 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
1,08 €
9
7% = 0,08 €
1,00 €
15
10% = 0,11 €
0,97 €
30
13% = 0,14 €
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Anzahl
Min.: 3
Gesamt (1,08 € / Stück)
3,24 €
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Highlights & Details
Power MOSFET, P-Kanal
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF9Z24NPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
12 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
45 W
- R(DS)(on)
175 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
7.2 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
19 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
350 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
55 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162549 Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 P-Kanal 45 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162549 Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 P-Kanal 45 W TO-220AB